Antarmuka/Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.

Form Factor: M.2 (2280).

Performa Kecepatan (hingga):

• Baca Sekuensial: 7.450 MB/s.

• Tulis Sekuensial: 6.900 MB/s.

• Baca/Tulis Acak (QD32): 1.400K/1.550K IOPS.

Tipe NAND: Samsung V-NAND 3-bit TLC.

DRAM Cache: 1GB (1TB), 2GB (2TB), 4GB (4TB) LPDDR4.

Ketahanan (TBW): 600TB (1TB), 1200TB (2TB), 2400TB (4TB).

Form Factor: M.2 2280 (Single-Sided)

Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c

Kapasitas: 250GB, 500GB, 1TB, 2TB

Kecepatan Baca Sequential (Maks): Hingga 7.000 MB/s (1TB/2TB)

Kecepatan Tulis Sequential (Maks): Hingga 5.000 MB/s (1TB), 5.100 MB/s (2TB)

Random Read (4KB, QD32): Hingga 1.000.000 IOPS (1TB/2TB)

Random Write (4KB, QD32): Hingga 1.000.000 IOPS (1TB/2TB)

Form Factor: M.2 (2280)

Kapasitas: 250GB, 500GB, 1TB

Kecepatan Baca/Tulis Sekuensial (1TB): Hingga 

Kecepatan Baca/Tulis Acak (Random Read/Write): Hingga 500.000 / 480.000 IOPS (1TB)

Memori NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC

Cache: Tidak menggunakan DRAM (DRAMless), memanfaatkan Host Memory Buffer (HMB)

Kecepatan Baca/Tulis Sekuensial (1TB/500GB):

• Baca (Read): Hingga 3.500 MB/s

• Tulis (Write): Hingga 3.000 MB/s

Teknologi Memori: Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)

DRAM Cache: Tanpa DRAM (menggunakan teknologi HMB - Host Memory Buffer)

Kapasitas: Umumnya tersedia dalam 250GB, 500GB, dan 1TB