Tipe & Kapasitas

• SSD NVMe M.2 2280 berkapasitas 1 TB – ideal untuk OS, aplikasi, dan game.
  
  

 Antarmuka & Performa

• PCIe Gen4×4 dengan NVMe – menawarkan bandwidth tinggi.

• Kecepatan baca berurutan hingga ~5000 MB/s.

• Kecepatan tulis berurutan hingga ~4800 MB/s.
  
  

 Kontroler & Fitur Cache

• Menggunakan InnoGrit controller (umumnya) dan mendukung DRAM + SLC caching untuk performa lebih stabil dibanding seri tanpa DRAM.
  
  

 Daya Tahan & Keandalan

• TBW (Total Bytes Written): 650 TB — menunjukan daya tahan tulis data sepanjang umur.

• MTBF ~3.000.000 jam (menandakan keandalan tinggi).

• Kompatibel dengan sistem Windows, macOS, Linux

 Kapasitas & Form Factor

• 4 TB memori penyimpanan NVMe.

• Bentuk M.2 2280 standar untuk SSD internal di desktop/laptop yang mendukung.
  
  

 Antarmuka & Protokol

• PCIe 5.0 x4 dengan NVMe 2.0 → generasi terbaru untuk throughput sangat tinggi pada SSD.
  
  

 Performa

• Kecepatan baca berurutan: sampai ~14.000 MB/s.

• Kecepatan tulis berurutan: sampai ~11.800 MB/s.
  
  

 Ketahanan & Keandalan

• TBW (Total Bytes Written, daya tahan tulis): sekitar ~2.800 TB untuk 4 TB.

• MTBF: sekitar 1,700,000 jam (menunjukkan rata-rata waktu antar kerusakan).

• Antarmuka/Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.

• Form Factor: M.2 (2280).

• Performa Kecepatan (hingga):

  • Baca Sekuensial: 7.450 MB/s.

  • Tulis Sekuensial: 6.900 MB/s.

  • Baca/Tulis Acak (QD32): 1.400K/1.550K IOPS.

• Tipe NAND: Samsung V-NAND 3-bit TLC.

• DRAM Cache: 1GB (1TB), 2GB (2TB), 4GB (4TB) LPDDR4.

• Ketahanan (TBW): 600TB (1TB), 1200TB (2TB), 2400TB (4TB).

• Form Factor: M.2 2280 (Single-Sided)

• Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c

• Kapasitas: 250GB, 500GB, 1TB, 2TB

• Kecepatan Baca Sequential (Maks): Hingga 7.000 MB/s (1TB/2TB)

• Kecepatan Tulis Sequential (Maks): Hingga 5.000 MB/s (1TB), 5.100 MB/s (2TB)

• Random Read (4KB, QD32): Hingga 1.000.000 IOPS (1TB/2TB)

• Random Write (4KB, QD32): Hingga 1.000.000 IOPS (1TB/2TB)

• Form Factor: M.2 (2280)

• Kapasitas: 250GB, 500GB, 1TB

• Kecepatan Baca/Tulis Sekuensial (1TB): Hingga 

• Kecepatan Baca/Tulis Acak (Random Read/Write): Hingga 500.000 / 480.000 IOPS (1TB)

• Memori NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC

• Cache: Tidak menggunakan DRAM (DRAMless), memanfaatkan Host Memory Buffer (HMB)

• Kecepatan Baca/Tulis Sekuensial (1TB/500GB):

  • Baca (Read): Hingga 3.500 MB/s

  • Tulis (Write): Hingga 3.000 MB/s

• Teknologi Memori: Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)

• DRAM Cache: Tanpa DRAM (menggunakan teknologi HMB - Host Memory Buffer)

• Kapasitas: Umumnya tersedia dalam 250GB, 500GB, dan 1TB